Samsung stellt neuen, schnellen 512 GB DDR5-7200 Speicherriegel vor

Samsung hat auf der Hot Chips 33 Konferenz die Entwicklung eines 512 GB DDR5-7200 Speichermoduls bekanntgegeben. Der neue Speicher soll im Vergleich zu DDR4 bei gleicher Größe eine 1.4fach höhere Performance aufweisen.

Samsungs 512 GB DDR5-7200 Speicherriegel besteht aus acht 1 Millimeter dünnen Dies - DDR4 Speicher nutzt dagegen nur maximal 4 Dies mit einer Dicke von 1.2 Millimeter. Den nötigen Platz für die Verdoppelung der Schichten gewinnt Samsung durch eine 40%ige Verkleinerung der Zwischenräume mithilfe neuer Fertigungstechniken plus neuer Kühltechnik.

Theoretisch werden von aktuellen Systemen (CPU samt Mainboard) wie etwa AMDs Epyc (Rome) schon bis zu 4 TB Speicher unterstützt, allerdings war eine Vollbestückung der meist acht RAM Steckplätze nicht möglich, da es keine dafür notwendigen 512 GB DDR4 Speicherriegel gab (erhältlich ist so nur der relativ langsame und extrem teure Intel Optane Speicher). Die nächste Generation von Intels und AMDs Server-Chips wird im Zusammenspiel mit DDR5 sogar Server-Systeme mit bis zu 8 TB RAM ermöglichen.

Samsungs 512 GB DDR5-7200 Speichermodul arbeitet mit einer Spannung von 1,1 V und damit einer etwas geringeren Spannung als DDR4 mit 1.2V. Zudem verfügt das neue Speichermodul über einen On-Die-Fehlerkorrekturcode (ODECC), der eine zuverlässigere und sicherere Datenverarbeitung gewährleistet.

Samsung zielt mit dem neuen 512 GB Speichermodul zwar auf den lukrativen Markt für Rechenzentren und Server - die Kapazitätsgrenze von DDR5-Speicherriegel für Endverbraucher wird wahrscheinlich bei 64 GB liegen. Bei gleichbleibender Anzahl von Speicherslots auf Consumer-Mainboards wird aber durch DDR5 immerhin eine Verdopplung der maximalen Speicherkapazität möglich sein, wenn anstatt der momentan üblichen Kits von 32 GB DDR4 RAM bald 64 GB DDR5 Speichmodule genutzt werden können - bei vier Speicherslots werden so für viele Systeme bei maximalem Ausbau 256 GB RAM möglich (im Vergleich zu den aktuellen 128 GB).

Samsung plant eine Massenproduktion der neuen 512 GB DDR5-7200-Speichermodule ab Ende 2021, geht aber davon aus, daß DDR5 erst im Zeitraum von 2023 bis 2024 DDR4 im Mainstream ablösen wird. Der Einsatz von DDR5 im Consumer Sektor wird ab Ende des Jahres möglich sein, wenn Intels Alder-Lake Hybridchips der 12. Generation erscheinen werden, dicht gefolgt von AMDs Zen 4 Anfang 2022, welche beide DDR5 unterstützen werden. Da die Basisfrequenz von DDR5 bei 4.800 MHz beginnt und bis zu 8.400 MHz betragen kann, werden viele Systeme so von einer deutlich höheren Speicherperformance profitieren können.